据日经BP社报导，日立制作地点“nano tech2009（世界纳米技能归纳展）”（2月18～20日）上展出了芯片尺度为1.9mm见方的LSI集成型压力传感器。是使用LSI制作工艺把压力传感器制作到LSI上构成的，与该公司此前发布的3.4mm见方的试制品比较，体积大幅缩小。该公司正在讨论使用150mm晶圆生产线的量产事宜。

  将尺度由3.4mm见方缩小到1.9mm见方的理由有二。一是在LSI的正上方构成压力传感器。本来的试制品尽管层积了LSI及压力传感器，但由于要优先建立中心技能，因而为了不在LSI的正上方层叠压力传感器，只好沿水平方向错位构成。另一点是此次削减了压力传感器部分留有的剩余空间。留有空间的理由是为了装备压力传感器以外的传感器。

  别的，日立此次还介绍了可通过改动隔阂（接受压力后曲折的薄膜部）尺度，改动查验测验压力灵敏度的技能。使用该技能，可使集成型压力传感器的规划及制作工艺完成标准化，还可将到达通用水平的集成型压力传感器应用于多种用处。

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